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怎样测量器件热阻?

发布时间:2022-09-23 00:15:06 来源:hth华体会网页版 作者:华体会全站app官网

内容简介:  在老化测试中,我们往往会根据芯片的热阻、设定的炉温和实测功耗,来计算结温,并通过调节炉温将结温控制在安全范围内。封装热阻的测试方法主要有红外扫描、电测法、瞬态热测试界面法,还可以通过仿真建模获得。红外扫描是直接测试方法,但需要对芯片开盖,具有破坏性。接下来两节内容分别就电测法、瞬态热测试界面法这两种无损测试谈一下热阻的测量。  1) TSP确定。一般情况,BJT选取基射极电压,MOSFET选取源漏电压,IGBT选取集射极电压或者栅射极电压,二极管选取正向压降作为TSP。  2) K系数求取。测量TSP与温度的关系从而得到K系数。以...
详细介绍

  在老化测试中,我们往往会根据芯片的热阻、设定的炉温和实测功耗,来计算结温,并通过调节炉温将结温控制在安全范围内。封装热阻的测试方法主要有红外扫描、电测法、瞬态热测试界面法,还可以通过仿真建模获得。红外扫描是直接测试方法,但需要对芯片开盖,具有破坏性。接下来两节内容分别就电测法、瞬态热测试界面法这两种无损测试谈一下热阻的测量。

  1) TSP确定。一般情况,BJT选取基射极电压,MOSFET选取源漏电压,IGBT选取集射极电压或者栅射极电压,二极管选取正向压降作为TSP。

  2) K系数求取。测量TSP与温度的关系从而得到K系数。以二极管为例,TSP为,将器件放置在恒温环境下,对待测器件加测试电流,改变测量温度,在温度稳定后,测量对应的,建立与温度的对应关系。

  a. 对待测器件施加大小为的加热电流,持续时间为。当器件在工作状态达到热稳定之后,移除加热功率,将工作电流快速切换到测量电流。

  b. 在结温下降过程中,实时采样结点电压,再通过K系数得到得到随时间的变化结温。根据温度和功耗变化值,求得热阻。

  第三,切断电源,再次施加测量电流,并测量。结温变化是根据和之间的差乘以K值计算得出。再加上即可得到首个温度点。

  上图开关置于左边为加热过程,开关置于右边为测试过程。施加不同时长()相同大小的加热电流,重复上述步骤获得下一个数据T2。不断重复,建立结温Ti与时间的关系图。当Ti不再变化时,结温达到稳态。此时计算对应的热阻即为稳态热阻,而稳态前每个时间点计算的热阻瞬态热阻。

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  在老化测试中,我们往往会根据芯片的热阻、设定的炉温和实测功耗,来计算结温,并通过调节炉温将结温控制在安全范围内。封装热阻的测试方法主要有红外扫描、电测法、瞬态热测试界面法,还可以通过仿真建模获得。红外扫描是直接测试方法,但需要对芯片开盖,具有破坏性。接下来两节内容分别就电测法、瞬态热测试界面法这两种无损测试谈一下热阻的测量。热阻通常是指当热流通过导热体时受到的阻力(在导热体上产生的温差)。JEDEC定义的常用参数如下:根据JESD51-1规定,半导体器件结到某参考点的热阻值:: 半导体结温: 参考点温度: 半导体的热功耗根据实际需要,选择不同的参考点,可以定义不同的热阻。测量系统的测试方法与步骤1) TSP确定。一般情况,BJT选取

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